Εκτός από την παραδοσιακή βύθιση θερμότητας στη συσκευασία των μικροηλεκτρονικών καλωδίων, αναδύονται πιο απαιτητικές εφαρμογές για τα σύνθετα μετάλλου-μήτρας (MMCs) χαλκού / βολφραμίου (WCu) ως βάσεις και υπομονάδες για διόδους λέιζερ ημιαγωγού. Επί του παρόντος, η πλειοψηφία των διόδων λέιζερ ημιαγωγών είναι τοποθετημένες σε μια βάση ή υπομονάδα που κατασκευάζεται από το WCu. Ο βελτιωμένος συνδυασμός θερμικής διαστολής μεταξύ της ψύκτρας και της μήτρας, σε συνδυασμό με την τρέχουσα τάση αύξησης του μεγέθους της μήτρας και των απαιτήσεων απόδοσης εξουσίας, κατέστησε το WCu το υλικό επιλογής για τη συσκευασία διόδων λέιζερ. Αυτό ισχύει ιδιαίτερα για μήτρα μεγαλύτερη από 1000 μm σε οποιαδήποτε κατεύθυνση. Ο χαλκός / βολφράμιο παρέχει την απαιτούμενη θερμική απορρόφηση και καλή αντιστοίχιση θερμικής διαστολής. Ορισμένες δίοδοι λέιζερ τοποθετούνται απευθείας σε χαλκό υψηλής καθαρότητας χωρίς οξυγόνο, σε κεραμικό υπόστρωμα από νιτρώδες βηρύλλιο ή νιτρώδες αργίλιο ή ακόμα και σε ένα υπόστρωμα με διαμάντια.

Η πλειοψηφία των διόδων λέιζερ ημιαγωγών ισχύος που κατασκευάζονται για μήκη κύματος στην περιοχή των 800 έως 1550 nm έχουν επωφεληθεί από τη βελτιωμένη απόδοση των νέων βάσεων ψύξης WCu. Οι εφαρμογές περιλαμβάνουν, μεταξύ άλλων, ιατρικά, επιστημονικά και οπτικά δίκτυα επικοινωνιών.

βολφραμίου χαλκού Μεταβαλλόμενες Συμβάσεις

Οι συμβατικές βάσεις ψύξης από χαλκό βολφραμίου παρέχουν θερμική αγωγιμότητα μεταξύ 170 και 220 W / mK και μειωμένο συντελεστή θερμικής διαστολής που ταιριάζει με τις μήτρες ημιαγωγών για την παραγωγή διόδων (5,6-9,0 ppm / ° C). Οι μήτρες λέιζερ τυπικά κατασκευάζονται σε υποστρώματα αρσενικού γαλλίου (GaAs) χρησιμοποιώντας διαδικασίες όπως επιταξία μοριακής δέσμης ή απόθεση μετάλλου-οργανικού χημικού-ατμού. Η τελική χημική σύνθεση μπορεί να περιλαμβάνει αρσενικό του ινδίου γαλλίου (InGaAs), αρσενίδιο γαλλίου ινδίου αργιλίου (InAIGaAs), αρσενικό γαλλίου αργιλίου (AlGaAs), φωσφορούχο αρσενίδιο του ινδίου γαλλίου (InGaAsP) ή φωσίδιο ινδίου γαλλίου (InGaP). Πρόσφατα, τα λέιζερ νιτρίδιου ινδίου γαλλίου (InGaN) έχουν κατασκευαστεί σε υπόστρωμα σαπφείρου με τη χρήση στρώματος επιταξιακά πλευρικά αυξημένης GaN ώστε να ταιριάζει με την ενέργεια πλέγματος μεταξύ του ζαφείρι και του ημιαγωγού.

Διαφορετικές Βάσεις τσουλκού του τσουλκού έχουν μοντελοποιηθεί χρησιμοποιώντας την τεχνική πεπερασμένης οριακής τιμής λύσης. Η απόδοση συγκρίθηκε χρησιμοποιώντας υλικό WCu 160-W / mK ως βασικό χαλκό και χαλκό υψηλής καθαρότητας (θερμική αγωγιμότητα = 398 W / mK) για απόδοση από την κορυφή. Με βάση τη μείωση της θερμικής αντοχής, προέκυψε βελτίωση κατά 19,1% για το υλικό 200-W / mK. Το λειτουργικά βαθμολογημένο υλικό 320-W / mK ήταν περίπου 47,54% καλύτερο, με το υλικό κορυφής να παρέχει βελτίωση κατά 56,88% έναντι του προτύπου. Αντίστοιχη μείωση στη θερμοκρασία σύνδεσης εμφανίζεται επίσης.

Οι τεχνικές εξελίξεις που χρησιμοποιούν λειτουργικά βαθμολογημένα υλικά (FGM) ωθούν το περίβλημα απόδοσης χαλκού / βολφραμίου σε επίπεδα θερμικής αγωγιμότητας γύρω στα 320 W / mK. Αυτό το επίπεδο απόδοσης είναι συγκρίσιμο με τη θερμική απόδοση του χαλκού. Αυτές οι λύσεις θερμικής διαχείρισης επιδιώκονται χρησιμοποιώντας κοινά, άμεσα διαθέσιμα υλικά όπως ο χαλκός και το βολφράμιο.

Οποιαδήποτε ανατροφοδότηση ή ερώτηση των προϊόντων χαλκού κράματος βολφραμίου παρακαλούμε να επικοινωνήσετε μαζί μας:
Email: sales@chinatungsten.com
Tel.: +86 592 512 9696 ; +86 592 512 9595
Fax.: +86 592 512 9797

Περισσότερες πληροφορίες： Χαλκό βολφραμίου Κράμα χαλκού βολφραμίου