علاوه بر غرقابي گرماي سنتي در بسته بندي ميكروالكترونيكها، كاربردهاي بيشتري براي كامپوزيت هاي ماتريكس فلزي مس / تنگستن (WCu) به عنوان پايه ها و زيرونهاي براي ديودهاي ليزري نيمه هادي ظاهر مي شوند. در حال حاضر اکثر دیود های لیزر نیمه هادی بر روی سوکت یا سوپاپ ساخته شده از WCu نصب شده اند. بهبود حرارتی بین گرمای خنک کننده و خازن، همراه با روند فعلی افزایش اندازه ذرات و نیازهای مصرف انرژی، WCu مواد انتخابی برای بسته بندی دیودهای لیزری را ساخته است. این امر مخصوصا برای بزرگتر از 1000 میکرومتر در هر جهت درست است. مس / تنگستن، نیاز به گرمازدگی مورد نیاز و انعطاف پذیری حرارتی را فراهم می کند. برخی از دیودهای لیزری مستقیما بر روی اکسیژن آزاد خلوص مس، بر روی بستر سرامیکی بریلیا یا آلومینیوم نیترید یا حتی بر روی بستر الماس نصب می شوند.

اکثر دیود های لیزری نیمه هادی قدرت تولید شده برای طول موج های 800 تا 1550 نانومتر از عملکرد بهبود یافته پایه های جدید گرمایش WCu بهره مند شده اند. برنامه های کاربردی شامل شبکه های ارتباطی مبتنی بر پزشکی، علمی و فیبر نوری می باشد.

تنگستن مس پایه دارد تغییر کنوانسیون ها

پایه های سینوسی تنگستن مس متعارف، هدایت حرارتی بین 170 تا 220 W / mK را فراهم می کند و ضریب کاهش ضریب انبساط حرارتی که مطابق با شکل گیری نیمه هادی برای تولید دیود است (5.6-9.0 ppm / ° C) است. قالبهای لیزری معمولا بر روی زیربناهای گالسیوم آرسنید (GaAs) ساخته می شوند که از فرایندهایی مانند اپی تیکای مولکولی پرتو یا رسوب بخار شیمیایی فلزات آلی استفاده می کنند. ترکیب شیمیایی نهایی ممکن است شامل اندیس گالیم آرسنید (InGaAs)، آلومینیوم گالیم آرسناید (InAlGaAs)، آلومینیوم گالیم آرسنید (AlGaAs)، گالسیوم فسفید سرم (InGaAsP) یا فسفید گالیم (InGaP) است. به تازگی، لیزر نیترید گالیم (InGaN) با استفاده از لایه ای از GaN که از نظر اپتیکسیال به سمت بالایی رشد کرده است، برای لایه انرژی بین یخ زده و نیمه هادی تولید می شود.

مختلف مفتول تنگستن مس با استفاده از تکنیک راه حل محدود مرزی محدود شد. عملکرد با استفاده از مواد 160 وات / mK WCu به عنوان مرجع اصلی و مس خلوص بالا (هدایت حرارتی = 398 W / mK) برای عملکرد بالا مقایسه شد. بر اساس کاهش مقاومت حرارتی، بهبودی 19.1٪ برای مواد 200W / mK بدست آمد. ماده 320-W / mK که به طور کارا درجه بندی شده بود حدود 47.54٪ بهتر بود، با مواد فوق العاده ارائه بهبود 56.88٪ بیش از استاندارد. کاهش مربوط به دمای اتصال نیز نشان داده شده است.

توسعه تکنیکی با استفاده از مواد طبقه بندی شده عملکردی (FGMs) باعث می شود که ضریب عملکرد مس / تنگستن به سطح هدایت حرارتی حدود 320 وات / mK برسد. این سطح عملکرد قابل مقایسه با عملکرد حرارتی ارائه شده توسط مس قابل مقایسه است. این راه حل های مدیریت حرارتی با استفاده از مواد معمول و قابل دسترس مانند مس و تنگستن دنبال می شود.

هر گونه بازخورد یا درخواست از محصولات آلیاژ مس تنگستن لطفا با ما تماس بگیرید:
Email: sales@chinatungsten.com
Tel.: +86 592 512 9696 ; +86 592 512 9595
Fax.: +86 592 512 9797

اطلاعات بیشتر： مس تنگستن آلیاژ مس تنگستن