Infiltração de Cobre de Tungstênio
A infiltração do cobre do tungstênio é fabricar o esqueleto do tungstênio com densidade e força, enchidas então no líquido de cobre sob a força capilar. E pode ser dividido em Cu infiltrado após o esqueleto de sinterização de alta temperatura e infiltração de pó de mistura após sinterização de baixa temperatura.
O processo de sinterização de esqueleto W de alta temperatura: Pó de tungstênio + 0,1% ~ 1,5% de aglutinante → Mistura → Pressão (400 ℃ ~ 800 ℃, baixo vácuo) → Remoção do ligante (1000 ℃, 1 ~ 2h) → Pré-sinterização (1800 ℃ ~ 2000 ℃, H2, 1h) → Sinterização a alta temperatura (1300 ℃ ~ 1400 ℃, H2 ou vácuo) → Infiltração. Este método pode ser feito densidade relativa> 99,2% de materiais de tungstênio e cobre. Como resultado da sinterização a alta temperatura, a redução de W é suficiente, as impurezas de baixo ponto de fusão e difícil de restaurar os óxidos de baixo custo podem ser removidas por volatilização e decomposição térmica. O material de cobre do tungstênio com índice de oxigênio baixo, alta pureza, método de sinterização de alta temperatura apropriado para a fabricação da fração de massa de cobre φ (Cu) não é maior do que 15% do material de cobre do tungstênio. Método de sinterização de alta temperatura usando o material feito de alta densidade relativa, bom desempenho geral. Mas seu círculo de produção é longo e complexo, é difícil ser popularizado .
Método de infiltração de cobre sinterizado em pó misto parcial: Pó de tungstênio + 2% ~ 6% de pó de cobre + 0,5% ~ 2,5% de aglutinante (como o pó de níquel) → Mistura → Pressão (1300 ℃ ~ 1400 ℃, H2 ou vácuo) → Sinterização (1200 ℃ ~ 1350 ℃, H2 ou vácuo ) → Infiltração. O método tem as vantagens do processo tecnológico simples e é adequado para produzir material compósito de tungstênio e cobre com φ (Cu)> 20%. Este método produz material de cobre de tungstênio, distribuição de cobre ao longo dos limites de grãos de tungstênio, força de esqueleto de tungstênio do método de sinterização de alta temperatura, como este método como o material de contato no disjuntor, fácil de produzir ablação.
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