Material microelectrónico de cobre de tungsténio
O material microelectronic do cobre do tungstênio tem a condutibilidade elevada ea resistência de calor, que podem notàvelmente melhorar o poder do microelectronic; Pode conseguir a moldação líquida do tamanho e é benéfica para miniaturization; Ele pode alterar o desempenho ajustando o conteúdo de W e Cu; É apropriado para materiais de empacotamento de alta potência do dispositivo, materiais do dissipador de calor, componentes térmicos, a base da arsenieto do gallium da cerâmica e, etc., para evitar o stress térmico causado por dano térmico da fatiga; O dissipador de calor do cobre do tungstênio pode ser usado em: 1. RF, microonda e milímetro-onda; 2. Embalagem de alimentação; 3. Diodo laser; 4. Dispositivos optoeletrônicos complexos.
O desempenho principal do dissipador de calor do cobre do tungstênio:
Grau |
TC (W/m·k) |
CTE (10-6/K) |
Densidade (g/cm3) |
WCu |
140~210 |
5.6~8.3 |
15~17 |
WCu10 |
140~170 |
5.6~6.5 |
17.0 |
WCu15 |
160~190 |
6.3~7.3 |
16.4 |
WCu20 |
180~210 |
7.6~9.1 |
15.6 |
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