표준 텅스텐 커패시터 기술
구리를 연속 매트릭스 상으로 갖는 금속 - 매트릭스 복합재는 지난 20 년 동안 광범위하게 사용되어왔다. 강화재로서 텅스텐 (또는 몰리브덴)과 같은 내화 금속의 사용이 선호된다. 구리 / 텅스텐 복합 재료는 전통적으로 텅스텐 프리폼의 구리 침투에 의해 부품이 생성되는 침투 기술을 사용하여 생산되었습니다. 부품은 기계적으로 최종 형상으로 연마됩니다.
최근 순수 금속 또는 거의 순수한 형태의 부품을 생산하는 분말 야금 기술을 기반으로하는 공정이 개발되었습니다. 고 융점 금속 분말과 구리 함유 분말의 혼합물을 분쇄 건조하여 분쇄하고 응집시켜 유동성을 발생시킨다.
이 분말은 기존의 일축 기계식 또는 유압식 건식 프레스를 사용하여 녹색 (소성되지 않은) 부품으로 압축되고 1450 ° C에 도달 할 수있는 온도의 수소 환경에서 연소됩니다. 특별한 형상이나 표면 처리가 필요한 경우이 부분에서 가공 할 수 있습니다. 부품은 대부분의 광전자 응용 분야에서 니켈 (Ni) 도금 및 금 (Au) 도금 처리가되어 있습니다. 세라믹베이스에 접합 된 다이는 구리 복합 히트 싱크에 납땜 될 수있다. 다른 사용자는 반도체 다이를 WCu 마운트에 직접 부착 할 수 있습니다.
분말 야금 공정의 주요 이점은 소성 직후 약간의 추가 처리만으로도 사용하기에 적합한 부품을 생산할 수 있다는 것입니다. 사후 후 가공을 최소화하면 상당한 비용을 절감 할 수 있으며 대부분의 정밀 가공은 레이저 다이오드가 장착 된 영역에 집중되어 있습니다.
가공 된 WCu의 또 다른 이점은 에지 이미 터를 장착 할 수있는 완벽한 정사각형, 예리하고 결함없는 나이프 에지 가공을 가능케하는 매우 미세하고 균일 한 미세 구조입니다. 대조적으로, 전통적인 침투 기술에 의해 제조 된 WCu 미세 구조는 구리 웅덩이 및 매우 큰 텅스텐 입자를 특징으로하며, 이로 인해 더 많은 수의 곡물 풀리 및 피트를 나타내는 기계 가공 된 부품이 생성된다.
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