텅스텐 구리 방열판 특징
텅스텐 구리 방열판 특징
| 학년 | 합성물 | 속성 | |||
| 자료 | 함유량wt-% | 밀도g/cm3 | CTEppm/K | 전기 전도도 | |
| W90Cu | WCu | 90±1余 | 17.0 | 6.5 | 180～190W/m.K |
| W85Cu | WCu | 85±1余 | 16.3 | 7.0 | 190～200W/m.K |
| W80Cu | WCu | 80±1余 | 15.7 | 8.3 | 200～210W/m.K |
| W75Cu | WCu | 75±1余 | 14.9 | 9.0 | 220～230W/m.K |
텅스텐 구리 히트 싱크는 텅스텐 함량과 구리 함량을 조정함으로써 세라믹 (Al2O3, BeO), 반도체 (Si) 및 금속과 같은 재료의 열 팽창 계수 (CTE)를 갖도록 설계되었습니다 (Kovar) 등. 텅스텐 구리 합금의 히트 싱크는 광전자 패키지, 마이크로 웨이브 패키지, C 패키지, 레이저 서스 마운트 (Laser Surmounts) 등과 같은 응용 분야에서 높은 열 전도성과 낮은 열팽창 성을 가지고 있습니다. 텅스텐 구리 히트 싱크는 아래에서 사용할 수 있습니다 들:
(1) 세라믹 재료 : Al2O3 (A-90, A-95, A-99), BeO (B-95, B-99), AlN 등.
(2) 반도체 재료 : Si, GaAs, SiGe, SiC, InGaP, InGaAs, InAlGaAs, AlGaInP, AlGaAs 등.
(3) 금속 재료 : Kovar (4J29), 42 합금 등.
열전도율이 높고 열 팽창 계수가 낮은 텅스텐 구리 합금은 히트 싱크와 같은 고전력 장치에 널리 사용됩니다. 최근에는 국내외의 많은 전문가들이 방열판에 사용되는 텅스텐 구리에 관심을 보이고 있습니다. 이는 텅스텐 및 구리의 소결 밀도를 개선하기 위해 활성제를 첨가하기 위해 개질 된 분말을 포함한다. 고전력 전자 장치 및 대규모 집적 회로의 개발로 실리콘, 텅스텐 - 구리 복합 재료로 적절한 재료 요구 사항을 개선하기 위해 제안 된 제안은 높은 내열성과 우수한 열 전도성, 갈륨 비소 및 세라믹 재료 열팽창 계수를 맞추기 위해 텅스텐 구리가 새로운 전자 패키지 및 방열판 재료가되었습니다.
현재 텅스텐 구리의 밀도는 원료의 고순도 분말, 200W / (m • k)까지의 W-15Cu 소재의 열전도도에 사용되는 최대 99 %까지 될 수 있습니다. 전자 패키징 및 히트 싱크 재료는 텅스텐 - 구리 재료의 품질 및 성능에 대한 요구가 높아짐에 따라 고순도 일뿐만 아니라 균일하고 낮은 공기 누출, 열전도율 및 우수한 열팽창 계수가 있어야 엄격히 제어 할 수 있습니다 생산 공정 및 제품 품질이 필요합니다.
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