텅스텐 구리 열전도율 시험
기하학적 구조와 시료의 저항 값에 따라 저항을 계산할 수 있기 때문에 실제로 시료의 저항을 측정합니다. 많은 저항 측정 방법은 시료 저항의 크기, 정확도 요구 사항 및 특정 조건에 따라 다른 방법으로 선택해야합니다. 덜 정밀한, 일반적으로 메가, 멀티 미터, 디지털 저항계 및 전압 전류 측정, 10-6 ~ 102Ω 사이의 상대적으로 높은 정밀도 또는 저항 재료 (예 : 금속 및 합금의 저항 값) 측정의 경우보다 정교한 측정 방법을 사용해야합니다. 여기에는 다음과 같은 메소드가 포함됩니다.
1, 이중 교량 방법
DC 브리지는 비교 계측기의 저항을 측정하는 데 사용되는 장치로, 알려진 양을 기반으로 브리지 회로에서 측정 된 결과를 측정 결과와 비교합니다. 브릿지는 높은 측정 정확도와 감도 및 뛰어난 유연성을 가지기 때문에 널리 사용됩니다. 휘트 스톤 브리지 회로는 리드 저항 및 접촉 저항으로 인해 정상적인 상황에서는 제거 할 수 없으며 이러한 추가 저항은 약 10-5 ~ 10-2Ω으로 작은 저항을 측정 할 때 큰 오차가 발생합니다. 따라서 휘트 스톤 브리지는 102 ~ 106Ω의 저항 측정에 적합합니다.
아래 그림과 같이 측정 원리 더블 브리지 방법 :
2, DC 포텐쇼미터 측정
직류 전위차계는 보상 원리에 따라 만들어진기구의 기전력 또는 전위차의 척도입니다. 고정밀 측정은 계측기가 여전히 전위차의 가장 정확한 측정 값 중 하나이며 정밀 전위차계는 잠재적 인 10-7V의 작은 측정치입니다. 회로의 기전력과 전위차를 정밀하게 측정 할 수있을뿐만 아니라 전류, 저항, 전력 등을 정밀하게 측정 할 수 있습니다.
DC Potentiometer 측정 방법은 다음과 같습니다.
3, Dc 4 탐침 법
반도체 재료의 저항은 대개 4 전극 측정이라고도하는 DC 4- 프로브 방법입니다. 아래의 샘플과 함께 사용 된 장비 및 배선. 이 그림에서 보면 4 개의 금속 프로브와 샘플 표면이 접촉하면 2 개의 내부 전압 프로브 2와 3에 대한 외부 2 개의 1, 4 전류 프로브가 측정됩니다. 4 개의 프로브를 측정 할 때 내부 샘플의 전류 소스 입력 전류에서 등거리에 직선으로 정렬 할 수 없지만 고 임피던스 전위계, 전자 또는 밀리 볼트 값 전압계는 프로브의 전압 U23 (in V).
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