鎢銅熱沉封裝微電子材料
微電子封裝材料作為電子元器件的一個重要組成部分，為電子元器件性能的提高和正常工作提供扎實的基礎。而電子元器件是資訊產業的重要基礎，尤以微電子為核心技術，其中封裝、設計及圓片製造已成為微電子技術的三個有機組成部分。在半導體微波功率器件的封裝中，W/Cu、Al/SiC等電子封裝材料具有優良的熱導率和可調節的熱膨脹係數（CTE），目前是國內外大功率電子元器件首選的封裝材料，並能與Beo、Al203陶瓷相匹配，廣泛用於微波、通信、射頻、航空航太、電力電子、大功率半導體雷射器、醫療等行業。高密度封裝已成為電子技術的發展方向，隨著矽晶片等元件集成度的提高，單位面積上的功率負荷越來越大，熱導率和熱膨脹係數（CTE）匹配等方面的考慮也就越來越重要。W/Cu、Al/SiC材料不僅熱導率高，而且熱膨脹係數與矽等半導體材料匹配的很好，加上優異的耐高溫性能、良好的可加工性能、適中的密度和絕佳的氣密性，應用範圍十分的廣泛。
我們公司生產的鎢銅熱沉封裝微電子材料是一種鎢和銅的複合材料，它既具有鎢的低膨脹特性，又具有銅的高導熱特性，尤其可貴的是，其熱膨脹係數和導熱導電性能可以通過調整材料的成分而加以設計，因而給該材料的應用帶來了極大的方便。我們生產的鎢銅熱沉封裝微電子材料可以與如下材料形成良好的熱膨脹匹配:
(1) 陶瓷材料:Al2O3(A-90、A-95、A-99) 、BeO(B-95、B-99) 、AlN等；
(2) 半導體材料: Si、GaAs、SiGe、SiC、InGaP、InGaAs、InAlGaAs、AlGaInP、和AlGaAs等；
(3) 金屬材料:可伐合金(4J29) 、42合金等。
鎢銅熱沉封裝微電子材料的特點及其性能
通過調整鎢成分的比例，其熱膨脹係數可以與其他材料形成良好的熱膨脹比例，如各類陶瓷（氧化鋁Al2O3，氧化鈹（BeO）、金屬材料（可伐合金Kovar）和半導體材料（碳化矽Sic）等等。
1、鎢銅熱沉封裝微電子材料產品特色
1)未加Fe、Co等燒結活化元素，得以保持高的導熱性能
2)可提供半成品或表面鍍Ni/Au的成品
3)優異的氣密性
4)良好的尺寸控制、表面光潔度和平整度
5)售前\售中\售後全過程技術服務
2、鎢銅熱沉封裝微電子材料技術參數
牌號 |
成分 |
性能 |
||
鎢元素比例（wt%） |
密度g/cm3 |
熱膨脹係數ppm/K |
熱導率W/m.K |
|
W90Cu |
90±2 |
16.8 |
6.5 |
180~190 |
W85Cu |
85±2 |
15.6 |
7.0 |
190~200 |
W80Cu |
80±2 |
15.2 |
8.3 |
200~210 |
W75Cu |
75±2 |
14.8 |
9.0 |
220~230 |
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