鎢銅底座
鎢銅保持二極體機關器的溫度
在微電子封裝模具除了傳統的散熱，更苛刻的應用是新興銅/ 鎢或鎢銅金屬基複合材料（MMC）的半導體鐳射二極體的坐騎和底座。目前，大多數半導體鐳射二極體的安裝上安裝或WCU製成的熱沉。改進散熱器和模具之間的熱膨脹匹配，再加上目前的趨勢，增加晶片尺寸和功率耗散要求，取得了鎢銅包裝鐳射二極體的首選材料。大於1000微米，在任何方向，這是尤其如此。銅/鎢提供了急需的散熱和良好的熱膨脹匹配。一些鐳射二極體直接裝上氧自由基的高純度銅，鈹或氮化鋁陶瓷基板上，甚至鑽石基板上。大部分受益於功率半導體鐳射二極體的波長在800至1550 nm範圍內製造新的鎢銅散熱器基地的表現有所改善。應用範圍包括醫療，科研，基於光纖通信網路，等等。
變化規則
一般的， 鎢銅電子封裝片提供熱傳導之間的170和220 W / mK的降低熱膨脹係數相匹配的半導體二極體製造死亡（5.6-9.0 PPM/℃）。鐳射模具通常是建立在砷化鎵（GaAs）基板使用，如分子束外延或有機金屬化學氣相沉積過程。最後的化學成分可能包括銦鎵砷化物（砷化銦鎵），銦鋁砷化鎵（InAlGaAs），鋁砷化鎵（AlGaAs多），砷化銦鎵磷化物（的InGaAsP），或銦磷化鎵銦（InGaP）。最近，銦鎵氮化物（InGaN）雷射器已使用一層外延橫向雜草叢生的氮化鎵之間的藍寶石和半導體相匹配的晶格能在藍寶石基板製造。
不同的鎢銅底座由模具壓制成採用不同的技術工藝。Different copper tungsten (WCu) mounts were modeled using the finite boundary value solution technique. 性能比高的使用基線和高純度銅160-W/mK的高端性能的鎢銅材料（導熱=398 W / MK）。基於熱阻減少，19.1％的改善，將得到200-W/mK材料。功能梯度為320-W/mK材料約47.54％，提供了56.88％，超過標準的改善與高端材料在結溫也相應減少。
使用功能梯度材料（功能梯度材料）技術的發展推動了銅/鎢大約320 W / mK的熱導率水準的性能信封。這種性能水準相比於銅的導熱性能。這些導熱性能的常見的使用方案即為鎢與銅的材料。
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