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銅タングステンEDM電極性能の分析

タングステン銅電極密度
密度は、粉末冶金材料の主要な指標です。圧縮レベルの程度は、特定の相対密度、細孔の数における材料の密度をマークします。より高い相対密度、低い多孔度、より少ない気孔率。電極材料として、抗切除及び処理の安定性良好。表1は、密度及び相対密度タングステン銅電極材料の異なる銅含有量を示します。式中、pは合金理論密度値であり、R1は相対密度前熱間静水圧合金である相対密度の絶対値が大きくなるように、R△、合金の相対密度を熱間静水圧プレスのR2は熱間静水圧プレスであり、R3はGBありますそれぞれの所定の成分GB8320銅の87 W接点材料の相対密度。表1は、HIP処理された銅タングステンは、より多く99.0%、完全密度を相対密度を大幅に向上されています。高いCu含有量、より明らかな効果。すべての結果は、請求項タングステン銅合金国家標準の対応する成分よりも高かったです。

表1:銅タングステン電極材料の密度及び相対密度

材料组成

W-Cu10

W-Cu20

W-Cu30

W-Cu40

p

g/cm3

17.30

15.67

14.31

13.17

r1

%

97.85

97.38

96.96

96.42

r2

%

99.36

99.46

99.38

99.63

△r

%

1.51

2.08

2.42

3.21

r3

%

96.82

96.68

96.43

96.81

タングステン銅の導電性電極
表2は、銅タングステン電極材料の導電率です。A1は、電気伝導度のHIP正味価値が付加され△前面導電銅タングステン合金HIP、HIP後の銅タングステン合金のA2伝導率、であることを特徴とする請求それぞれの国家標準伝導性銅タングステン接点材料成分のA3。HIP処理タングステン - 銅合金の密度が大幅に向上しており、それに応じて導電性が大幅に向上していることになります。

表2:タングステン及び銅電極mの導電率/Ω・MM2

材料组成

W-Cu10

W-Cu20

W-Cu30

W-Cu40

a1

22.0

23.9

31.6

32.9

a2

23.5

25.6

34.6

36.8

△a

1.5

1.7

3.0

3.9

a3

15.4

20.0

24.4

27.0

タングステン銅電極の硬度と強度
安定性が改善され、電極消耗率が低減されるの電極材料の硬度と強度を高めます。通常の図よりも良好なよう鍛錬銅電極性能として。それによって全体的な硬度と強度を向上させる、密度を向上させる一方でHIP処理は、また、強度及び硬度を行う状態を、処理の他方の当量に対して、高いCu含有量のために銅タングステン電極は、特に重要です。表3は、タングステン銅電極の硬度と強度を示しています。前記それぞれのHIP HIP付加価値後HIP曲げ強度、及び曲げ強度の前にT△T1、T2、曲げ強度こと。HB1、HB2、HB3それぞれHIP硬度、硬度前にそれぞれの接点材料の硬度のHIPおよびGBタングステン銅成分の後に、△HBのHIP処理の付加価値の硬度。

表3:タングステン銅電極の硬度と強度

材料组成

W-Cu10

W-Cu20

W-Cu30

W-Cu40

T1,Mpa

1370

1104

850

627

T2,Mpa

1412

1203

1112

1112

△T, Mpa

42

99

162

485

HB1

269

226

178

135

HB2

276

242

200

167

△HB

7

16

22

32

HB3

260

220

175

140

タングステン銅電極均質
大型電極に、性能の均一性が重要である、そうでなければ、より良いローカル処理能力、ローカル処理性能の変動のパフォーマンスの低下をもたらすであろう。従来の粉末冶金プロセスのため、良好な均一性特大の材料を得ることが困難。熱間静水圧プレス処理は、材料特性の均一性を向上させることができます。表4は、硬度と環状電極WCu4oによるHIP処理前及び後の電気伝導度の大きな変化の乏しい均質です。;だけ低いHIPで処理した後の39.3の高い導電率値、27.2、分散データHRB75の硬度値だけ低いHRB42.8:HIP処理、データの大きな分散の硬度及び導電率の前に、テーブルから分かります。大幅に低減抵抗、HRB83約硬度、導電率は、電極の全体的な性能の均一性を達成するために、約37メートル/Ω・mm 2です。

表4:銅タングステン電極均一

性能

状态

数据

硬度

HIP前

42.8

51.8

82.8

83.0

83.3

84.0

85.0

84.9

HRB

HIP后

81.6

82.0

82.8

83.0

83.3

84.0

85.0

84.9

导电率

HIP前

37.6

37.3

37.0

35.4

37.0

31.4

28.5

27.2

m/Ω·mm2

HIP后

36.1

35.7

37.0

36.8

36.6

37.1

36.9

37. 2

通常WCU電極よりも優れた性能を有する押圧冷間静水圧プレス、熱間静水圧によってWCU電極。密度、電気伝導性、強度及び硬度が大幅に向上し、電極の均一性、それにより電極自体の消費を低減する、EDM間加工精度、安定性を増強するように熱間静水圧プレス。I冷特に大型、大型の製造のための、熱間静水圧プレスは、形状電極が設けられていてもよいです。電極のCu含有量は、ユーザに応じて調整することができるSOwtでSWT%の間%を必要とします。この方法により製造CW80、他のマルチ電極と比較して優れた性能を示す高周波セラミック錦工場、上海イアン金型工場、南京粉末冶金工場及び他のメーカーの使用によってCW75、CW70 EDM電極。特定のデータ及びCu含有量のさらなる研究は、WCUの動作であるとにおけるEDMにおける電極材料の性能に影響を与えます。

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