マイクロエレクトロニクスパッケージ材料が電子部品の重要な構成要素として、作業のための強固な基盤を提供し、電子部品の性能を向上させます。電子部品、設計、ウエハー製造は3つの超小型電子技術の不可欠な一部となっているカプセル化するコア技術として、特にマイクロエレクトロニクス、情報産業のための重要な基礎です。マイクロ波電力の半導体デバイスパッケージ、W / Cuの熱膨張の優れた熱伝導係数を有するAl / SiC及び他の電子パッケージング材料が調整されてもよい（のCTE）、国内の高出力電子部品は、現在の封入材料が好ましく、広くマイクロ波通信、無線周波数、航空宇宙、パワーエレクトロニクス、高出力半導体レーザ、医療、その他の産業で使用されるBEO、のAl 2 O 3セラミックス、一致させることができます。シリコンチップおよび他のコンポーネントの集積度と、発展方向となっている電子技術の高密度実装、単位面積当たりの電力負荷、熱膨張の熱伝導係数（CTE）マッチング考察そしてより重要。 W /銅、シリコン半導体材料がよく、優れた高温特性、良好な加工性、中程度の密度と優れた気密性と、整合されたAl / SiC材料だけでなく、高い熱伝導率、熱膨張係数など抵抗、幅広い用途。

我々は、TA NNコーニングSUテンシロン銅ヒカルースイートシリコーンを生成NN区材料ジャイアントパンダ属ッ化学ーJI状微小球は、マイクロンエレクトロニクスによりた両方タングステン低膨張特性を有する、銅の高い熱伝導率、特に価値は、その熱膨張係数と熱伝導率ということである、銅などのタングステン複合材料であります性能は、このように材料の適用に大きな利便性をもたらす、材料の組成を調整することによって設計することができます。我々はSU TA NNコーニングテンシロン銅ヒカルーNNスイートシリコーン化学ーッ区材料のPA JIミクロスフェアは、以下の材料との良好な熱膨張整合を形成することができるマイクロン電子によって形成された生成します。
（1）セラミック材料：Al 2 O 3の（A-90、-95、A-99）、BeOの（B-95、B-99）のAlN等。
（2）半導体材料：SiやGaAsの、のSiGe、SiCやたInGaP、InGaAsの、のInAlGaAs、AlGaInP系、AlGaAs系、等;
（3）金属材料：コバール（4J29）、42アロイ。

蘇TA nnはコーニングテンシロン銅ヒカルーNNスイートシリコーン化学ーッ区材料のPA JIマイクロスフェアは、マイクロンの特性と電子のパフォーマンスにより形成しました

タングステン成分の比率を調整することにより、熱膨張係数は、各種セラミック（アルミナのAl 2 O 3、酸化ベリリウム（BeO）の種類、金属材料（コバールのコバール）と半導体材料（シリコンカーバイド、SiCのような、他の材料の熱膨張率の良好な比率で形成することができます）というように。

1、SU TA NNコーニングテンシロン銅ヒカルーNNスイートシリコーン化学ーッ区材料のPA JIマイクロスフェアは、マイクロンエレクトロニクスの特徴により形成しました

1）活性化された焼付きとFe、Coおよび他の要素なしに、高い熱伝導率が維持されます
2）半完成または完成表面にNi / Auめっきを提供することができます
3）優れた気密性
4）良好な寸法制御、表面仕上げおよび平坦度
5）\販売\販売及び技術サービスのプロセス全体を事前

2、SU TA NNコーニングテンシロン銅ヒカルーNNスイートシリコーン化学ーッ区材料のPA JIマイクロスフェアは、マイクロンエレクトロニクスパラメーターにより形成しました

商標	成分	性能
商標	タングステン元素の割合（wt%）	密度g/cm3	熱膨張係数ppm/K	熱伝導率W/m.K
W90Cu	90±2	16.8	6.5	180~190
W85Cu	85±2	15.6	7.0	190~200
W80Cu	80±2	15.2	8.3	200~210
W75Cu	75±2	14.8	9.0	220~230

タングステン銅ヒートシンク材料パッケージ形マイクロ電子絵

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