タングステン、銅、導電性試験
それはサンプルの抵抗値の幾何学的形状及び抵抗率に基づいて算出することができるようにNN SU TAテンシロンコーニング、銅は、実験試料における導通抵抗試験を実際に測定されます。多くの抵抗測定方法は、試料の抵抗の大きさ、精度、および特定の条件の異なる方法に従って選択されるべきです。低い精度であれば、一般に、マルチメータ、およびデジタル抵抗計ボルタンメトリー測定をメガー、および10-6〜102Ω金属および合金（例えば、抵抗の精度または高抵抗材料用値）を測定し、それは、より正確な測定でなければなりません。前記方法は、以下を含みます：
1、ダブルブリッジ法
ブリッジ回路における既知の量に応じて測定される比較装置の抵抗を測定するためのDCブリッジは、得られた測定結果を比較します。高感度、精度、高い柔軟性を有するブリッジので、広く使用されています。ホイートストンブリッジ回路リード線抵抗と接触抵抗は、一般に、除去することができないため、約10 -5〜10-2Ω、低抵抗の測定における大きな誤差の付加的な抵抗。したがって、ホイートストンブリッジは、102〜106Ωの抵抗を測定するためにのみ適しています。
以下に示す方法の原理を測定するダブルブリッジ：
起電力又は補償の原理に従って作られた装置の電位差を測定するためのDC電位差計。高い測定精度は、まだ潜在的な違い、精密ポテンショメータの潜在的10-7Vの小さな指標を測定する最も正確な楽器の一つです。適切な検知回路は、さらに洗練された電流、抵抗、電力、等を有することができだけでなく、起電力との電位差回路の高精度測定、
シリコーンDCポリスターテンシロン測定新聞メー以下に示すように、TA：
図3に示すように、直流四探針法
直流四探針法により、半導体材料の抵抗率は、一般に、4つの電極測定と呼ばれます。図に示すように、配線装置は、試料に使用しました。4つの金属接点が、試験プローブと試料の表面、この図から分かるように、外側の2つの1,4-電流プローブは、2個の内部電圧プローブ2および3で測定されます。四回の端子測定が等間隔直線状に配置されない場合があり、電流源からの入力電流が高インピーダンス電位計が、mVの電子電圧計で測定し、小さな内圧がサンプルをドロップ可能値2,32（V IN）プローブの電圧U23の間です。
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