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W50钨铜封装片
随着电子元件尺寸的不断缩小和功能效率的提高，对电子元件散热的要求也随之提高。优秀的散热系统意味着更高的散热效率和更小的散热空间。钨铜合金结合了钨的低热膨胀率和铜的高导热性，可有效地释放电子设备的热量，有助于可靠有效地释放电子元件产生的热量。
钨铜合金生产工艺
W50Cu50合金是由50%的钨和50%的铜组成的材料，其中50±2%铜，杂质为≤0.5%，钨为余量。钨和铜两种金属的熔点相差很大，不能用传统的熔铸法来生产，故而使用粉末冶金+渗铜法，具体流程为：混粉-模压成型-脱脂及渗铜-钨铜毛坯-机加工。
W50钨铜封装片产品参数
成分（%） |
W50Cu50 |
密度（g/cm3） |
≥11.85 |
硬度（HB） |
≥115 |
电阻率（μΩ·cm） |
≤3.2 |
导电率（IACS/%） |
≥54 |
表面 |
镀镍+镀金 |
长度（mm） |
5-100 |
宽度（mm） |
5-100 |
厚度（mm） |
0.2-5.0 |
产品应用
用于IGBT模块、RF功率放大器、LED芯片等。此外，还可用作大规模集成电路中的绝缘金属基板、热控板、散热元件（散热材料）、引线框架和大功率微波器件。
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