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钨铜热沉封装微电子材料

微电子封装材料作为电子元器件的一个重要组成部分，为电子元器件性能的提高和正常工作提供扎实的基础。而电子元器件是信息产业的重要基础，尤以微电子为核心技术，其中封装、设计及圆片制造已成为微电子技术的三个有机组成部分。在半导体微波功率器件的封装中，W/Cu、Al/SiC等电子封装材料具有优良的热导率和可调节的热膨胀系数（CTE），目前是国内外大功率电子元器件首选的封装材料，并能与Beo、Al203陶瓷相匹配，广泛用于微波、通信、射频、航空航天、电力电子、大功率半导体激光器、医疗等行业。高密度封装已成为电子技术的发展方向，随着硅芯片等元件集成度的提高，单位面积上的功率负荷越来越大，热导率和热膨胀系数（CTE）匹配等方面的考虑也就越来越重要。W/Cu、Al/SiC材料不仅热导率高，而且热膨胀系数与硅等半导体材料匹配的很好，加上优异的耐高温性能、良好的可加工性能、适中的密度和绝佳的气密性，应用范围十分的广泛。

我们公司生产的钨铜热沉封装微电子材料是一种钨和铜的复合材料，它既具有钨的低膨胀特性，又具有铜的高导热特性，尤其可贵的是，其热膨胀系数和导热导电性能可以通过调整材料的成分而加以设计，因而给该材料的应用带来了极大的方便。我们生产的钨铜热沉封装微电子材料可以与如下材料形成良好的热膨胀匹配: 
(1) 陶瓷材料:Al2O3(A-90、A-95、A-99) 、BeO(B-95、B-99) 、AlN等；
(2) 半导体材料: Si、GaAs、SiGe、SiC、InGaP、InGaAs、InAlGaAs、AlGaInP、和AlGaAs等；
(3) 金属材料:可伐合金(4J29) 、42合金等。

钨铜热沉封装微电子材料的特点及其性能

通过调整钨成分的比例，其热膨胀系数可以与其他材料形成良好的热膨胀比例，如各类陶瓷（氧化铝Al2O3，氧化铍（BeO）、金属材料（可伐合金Kovar）和半导体材料（碳化硅Sic）等等。

1、钨铜热沉封装微电子材料产品特色

1)未加Fe、Co等烧结活化元素，得以保持高的导热性能
2)可提供半成品或表面镀Ni/Au的成品
3)优异的气密性
4)良好的尺寸控制、表面光洁度和平整度
5)售前\售中\售后全过程技术服务

2、钨铜热沉封装微电子材料技术参数

如您有任何关于钨铜合金产品的询价及反馈，请随时联系我们：
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