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钨铜电子封装片制备
钨铜电子封装材料属于MMC金属基电子封装材料，由于它具有良好的导热导电性以及低的热膨胀系数和良好的微波屏蔽功能、高强度等优点，而且通过调整铜的成分含量，可获得不同要求热膨胀系数和导热系数，因此钨铜电子封装片材料得到西方发达国家的青睐，大量地被应用在微波管、功率模块和集成电路芯片上。也是今年发展很快的一种新型电子封装材料。
国外有宾夕法尼亚大学的R.M.Germam教授对钨铜电子封装材料致密化作了较系统的研究，分别采用高温液相烧结法、化学活化液相烧结法、粉末注射成形和熔渗相结合的方法制备了钨铜电子封装材料，最好的结果是材料粉末注射成形和熔浸相结合法，主要工艺师先将粉末注射成形坯料经900℃预烧1小时，再在1500℃熔浸90~120分钟，其性能参数如下表所示：
粉末注射成形法制备的钨铜电子封装材料
| 材料 | 相对密度（%T.D） |
硬度（HV2000） |
断裂强度（Mpa） |
W-10Cu |
99.2 |
205 |
1492 |
W-15Cu |
99.33 |
366 |
/ |
W-20Cu |
99.23 |
322 |
/ |
钨铜电子封装片高温液相烧结法
由于钨与铜的熔点相差很大，可以采用高温液相烧结方法制备钨铜电子封装材料，通过高温液相烧结使其致密化。其特点是生产工序简单易控。但要求烧结温度很高、烧结时间很长，烧结费用较高；且烧结的性能较差，特别是烧结密度较低，只为理论密度的90~95%，不能满足使用要求。目前有人单用超细粉末代替粗钨粉，来改善其烧结性能，提高钨铜电子封装材料的相对密度，可以达98%以上。但超细钨粉价格过高，烧结收缩率加大，难以控制零件尺寸大小。
钨铜电子封装片活化强化液相烧结法
由于高温液相烧结法不能获得接近理论密度的钨铜电子封装片材料，若辅助烧结后处理，则不仅使工艺复杂且成本高。人民基于纯钨的活化固态烧结理论的启示，在钨铜材料制备过程中加入微量活化元素来提高烧结效果，通过液相烧结就可以获得接近理论密度的钨铜电子封装材料。与高温液相烧结法相比，该方法不仅降低了烧结温度，缩短了烧结时间，而且烧结致密度大大提高。但是，活化液相烧结法对获得理想的相对密度、硬度、断裂强度等烧结性能有好处，但遗憾的是活化剂的加入影响高导电相铜的导电、导热性能，显著降低了复合材料的导热、导电性能，这对于热导要求高的电子封装片材料来说是不利的，该方法制备的材料只能应用与对惹导要求不高的领域。
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